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空间重粒子入射屏蔽材料的蒙特卡罗模拟 期刊论文
载人航天, 2019, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 159-163
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
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Geant4  屏蔽材料  MIRD  人体模型  深度剂量分布  
不同屏蔽材料对空间100 MeV质子防护效果分析 期刊论文
载人航天, 2018, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 740-744
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
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Geant4  次级粒子  屏蔽材料  100 MeV质子  
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强  
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 461-466
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  陈睿;  费武雄
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电离辐射  电流反馈运算放大器  偏置  低剂量率损伤增强效应  
10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应 期刊论文
核电子学与探测技术, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 204-208
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博
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模数转换器  辐射效应  室温退火  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44增刊, 期号: 1, 页码: 533-537
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  低剂量率辐照损伤增强效应  
变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1493-1497
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强  变温辐照  加速评估方法  
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1252-1256
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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模数转换器  60coγ辐照  室温退火  偏置条件  
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 274-277
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  低剂量率  偏置  60coγ辐照