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空间重粒子入射屏蔽材料的蒙特卡罗模拟 期刊论文
载人航天, 2019, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 159-163
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
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Geant4  屏蔽材料  MIRD  人体模型  深度剂量分布  
不同屏蔽材料对空间100 MeV质子防护效果分析 期刊论文
载人航天, 2018, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 740-744
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
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Geant4  次级粒子  屏蔽材料  100 MeV质子  
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173
Authors:  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Wang Yi-Yuan;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi;  Wang Zhi-Kuan;  Wang Jian-An
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Npn Bipolar Junction Transistors  (60)Co-gamma Irradiation  Eldrs  Orientation Of Substrate  
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强  
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 461-466
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  陈睿;  费武雄
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电离辐射  电流反馈运算放大器  偏置  低剂量率损伤增强效应  
10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应 期刊论文
核电子学与探测技术, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 204-208
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博
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模数转换器  辐射效应  室温退火  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44增刊, 期号: 1, 页码: 533-537
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  低剂量率辐照损伤增强效应  
Radiation effect of NPN BJTs under various base doping conditions 期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2010, 卷号: 44, 期号: UPPL. 1, 页码: 533-537
Authors:  Xi Shan-Bin;  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Xu Fa-Yue;  Zhou Dong;  Li Ming;  Wang Fei;  Wang Zhi-Kuan;  Yang Yong-Hui
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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1493-1497
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强  变温辐照  加速评估方法