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化合物氟硼酸铵和氟硼酸铵非线性光学晶体及制备方法和用途 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN106745022B, 公开日期: 2018-11-09,
Inventors:  潘世烈;  史国强;  张方方;  侯雪玲
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化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108070902A, 公开日期: 2018-05-25,
Inventors:  潘世烈;  史国强;  张方方
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氟硼酸锂非线性光学晶体的制备方法和用途 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN106835263A, 公开日期: 2017-06-13,
Inventors:  潘世烈;  史国强;  张方方;  张兵兵;  杨志华
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parameter optimisation of path-following fuzzy controller for a six-wheel lunar rover 期刊论文
IET INTELLIGENT TRANSPORT SYSTEMS, 2013, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 1-9
Authors:  Ge Pingshu;  Guo Lie;  Zhang Ronghui;  Shao Qiang;  Zhao Xiuchun
Adobe PDF(838Kb)  |  Favorite  |  View/Download:148/0  |  Submit date:2013/11/07
Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 328-330
Authors:  余学峰;  张国强;  艾尔肯;  郭旗;  陆妩;  任迪远
Adobe PDF(110Kb)  |  Favorite  |  View/Download:156/9  |  Submit date:2012/11/29
Mos电容  氧化物电荷  界面态  能级分布  
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
Adobe PDF(347Kb)  |  Favorite  |  View/Download:187/6  |  Submit date:2012/11/29
热载子注入  总剂量辐照  相关性  
A novel technique for predicting ionizing radiation effects of commercial MOS devices 期刊论文
Chinese Physics, 2004, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 948-953
Authors:  Zhang Guo-Qiang;  Guo Qi;  Erkin;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan
Adobe PDF(237Kb)  |  Favorite  |  View/Download:179/3  |  Submit date:2012/11/29
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
Authors:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强;  胡浴红;  王明刚;  赵文魁
Adobe PDF(171Kb)  |  Favorite  |  View/Download:220/11  |  Submit date:2012/11/29
注fcmos运算放大器  电离辐照  跨导  
新疆克拉玛依油田九区稠油脱水剂的研制和应用 成果
中国科学院科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  王国瑞;  胡宗义;  陈文海;  董昕;  戴明;  怀什拜;  王强;  卜家泰;  张富巨;  钱斌
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抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究 成果
新疆维吾尔自治区科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  张国强;  王国彬;  严荣良;  任迪远;  余学峰;  高剑侠;  罗来会;  陆妩;  范隆;  高文钰;  郭旗;  魏锡智
Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2013/11/20