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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1320Kb)  |  Favorite  |  View/Download:51/0  |  Submit date:2018/07/06
65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:40/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:21/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线  
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  郭旗;  余学峰
Adobe PDF(1113Kb)  |  Favorite  |  View/Download:24/0  |  Submit date:2018/01/18
纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
Adobe PDF(808Kb)  |  Favorite  |  View/Download:109/0  |  Submit date:2016/06/02
绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
Authors:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远;  余学峰
Adobe PDF(664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:232/0  |  Submit date:2015/06/26
可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力  
Triterpene saponins from seeds of the Chinese plant Nigella glandulifera 期刊论文
CHEMISTRY OF NATURAL COMPOUNDS, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 134-136
Authors:  Xin, X. L.;  Aisa, H. A.;  Xue, H. Q.;  Wang, H. Q.;  Xin, XL
Adobe PDF(22Kb)  |  Favorite  |  View/Download:136/0  |  Submit date:2014/11/11