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溶胶-凝胶法制备洛克沙砷表面分子印迹聚合物及其性能研究 期刊论文
分析试验室, 2019, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 1-6
Authors:  徐鲁;  郅轲轲;  张亚刚;  范维刚;  姜莹芳;  王璐璐
Adobe PDF(390Kb)  |  Favorite  |  View/Download:44/0  |  Submit date:2019/02/21
洛克沙砷  分子印迹聚合物  硅胶载体  溶胶-凝胶法  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
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总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu);  Ren, DY (Ren, Diyuan);  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(713Kb)  |  Favorite  |  View/Download:27/0  |  Submit date:2018/05/07
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1320Kb)  |  Favorite  |  View/Download:50/0  |  Submit date:2018/07/06
65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:39/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:20/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线  
基于分子识别和分子印迹的三氯生新型功能材料设计及性能研究 期刊论文
日用化学工业, 2018, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 434-438+44
Authors:  范维刚;  姜莹芳;  张亚刚;  王璐璐;  张乐涛;  艾克热木·牙生
Adobe PDF(904Kb)  |  Favorite  |  View/Download:52/0  |  Submit date:2018/09/12
三氯生  分子印迹聚合物  功能单体  化妆品  
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1 ];  Wang, L (Wang, Liang)[ 3 ];  Liu, JQ (Liu, Jiaqi)[ 3 ];  He, CF (He, Chengfa)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(1450Kb)  |  Favorite  |  View/Download:41/0  |  Submit date:2018/09/27
Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)  
三氯卡班分子印迹聚合物的设计、合成及性能研究 期刊论文
应用化工, 2018, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 2572-2576
Authors:  范维刚;  王璐璐;  张亚刚;  姜莹芳;  张乐涛;  艾克热木·牙生
Adobe PDF(878Kb)  |  Favorite  |  View/Download:8/0  |  Submit date:2019/07/10
三氯卡班  分子印迹聚合物  功能单体  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:27/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi