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一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104853117B, 公开日期: 2018-03-20,
Inventors:  郭旗;  王帆;  李豫东;  汪波;  张兴尧;  何承发;  文林;  陆妩;  施炜雷;  孙静;  李小龙;  余德昭;  武大猷;  玛利亚·黑尼
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质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
Authors:  刘元;  文林;  李豫东;  何承发;  郭旗;  孙静;  冯婕;  曾俊哲;  马林东;  张翔;  王田珲
Adobe PDF(756Kb)  |  Favorite  |  View/Download:45/0  |  Submit date:2018/03/19
电荷耦合器件  质子辐射效应  热像素  
一种制备铁氧体‑铁酸铋复合荧光材料的生物方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN105062478B, 公开日期: 2017-08-22,
Inventors:  边亮;  李海龙;  董海良;  张晓艳;  陈敬春;  侯文平;  史发年;  王磊;  任卫
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一种制备铁氧体-铁酸铋复合荧光材料的生物方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN105062478A, 公开日期: 2015-11-18,
Inventors:  边亮;  李海龙;  董海良;  张晓艳;  陈敬春;  侯文平;  史发年;  王磊;  任卫
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电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:126/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(508Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/06/07
深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 期刊论文
强激光与粒子束, 2015, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 210-214
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  文林;  孙静;  王帆;  王帆;  玛丽娅
Adobe PDF(398Kb)  |  Favorite  |  View/Download:158/0  |  Submit date:2016/06/07
Cmos有源像素传感器  中子辐照  像素单元  饱和输出电压  位移效应  
星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 2015
Accomplishers:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  何承发;  文林;  孙静;  李豫东;  崔江维;  吕小龙;  胡江生;  王嘉
Favorite  |  View/Download:35/0  |  Submit date:2017/08/08
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
Adobe PDF(1122Kb)  |  Favorite  |  View/Download:149/0  |  Submit date:2015/03/25
电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离  
一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103971752A, 公开日期: 2014-08-06,
Inventors:  余学峰;  丛忠超;  郭旗;  崔江维;  郑齐文;  孙静;  周航;  汪波
Favorite  |  View/Download:3/0  |  Submit date:2019/08/09