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屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤 期刊论文
核电子学与探测技术, 2009, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 398-401
Authors:  文林;  郭旗;  张军;  任迪远;  孙静;  郑玉展;  王改丽
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抗辐射屏蔽材料  Cmos  电子辐照  静态功耗电流  
ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 47-49
Authors:  Zheng Yu-Zhan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Wang Gai-Li;  Yu Xue-Feng;  Guo Qi
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Bipolar Junction Transistor  Eldrs Effect  Dose-rate Dependence  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
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Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度  
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  王改丽;  余学峰;  任迪远;  郑玉展;  孙静;  文林;  高博;  李茂顺;  崔江维
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互补金属氧化物半导体  总剂量辐射  漏电流  响应特性  抗辐射能力  
国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
Authors:  王改丽
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Pdsoi  Simox  总剂量辐射  辐射效应  背沟漏电  
电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果 期刊论文
新疆大学学报(自然科学版), 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 322-324
Authors:  文林;  张军;  郭旗;  任迪远;  孙静;  郑玉展;  王改丽
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屏蔽材料  理论计算  Mos  电子辐照  
双极运算放大器辐射损伤效应研究 期刊论文
核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 270-274
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王改丽;  文林;  孙静
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双极运算放大器  60coγ辐射  辐射效应  增强因子