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总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
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绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Su, DD (Su Dan-Dan);  Yu, XF
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Silicon-on-insulator  Ionizing Radiation  Hot Carriers  
Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe);  Ma, LY (Ma Li-Ya)
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Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect  
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
Adobe PDF(754Kb)  |  Favorite  |  View/Download:241/0  |  Submit date:2015/06/26
互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(508Kb)  |  Favorite  |  View/Download:83/0  |  Submit date:2016/06/07
深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
Authors:  汪波;  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  王帆;  任迪远;  曾骏哲;  武大猷
Adobe PDF(467Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2016/06/02
电荷耦合器件  高能粒子辐照  饱和输出电压  电离总剂量效应  
质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 257-263
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  任迪远;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(633Kb)  |  Favorite  |  View/Download:154/1  |  Submit date:2015/03/04
电荷耦合器件  质子辐照  电离效应  位移损伤  
星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 2015
Accomplishers:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  何承发;  文林;  孙静;  李豫东;  崔江维;  吕小龙;  胡江生;  王嘉
Favorite  |  View/Download:29/0  |  Submit date:2017/08/08
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
Authors:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远;  余学峰
Adobe PDF(662Kb)  |  Favorite  |  View/Download:220/0  |  Submit date:2015/06/26
可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力