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PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
Authors:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰;  任迪远;  孙静
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Pmosfet  退火效应  低剂量率辐射损伤增强效应  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
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Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度