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总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
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深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
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深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 22
Authors:  Wang, X (Wang Xin);  Lu, W (Lu Wu);  Wu, X (Wu Xue);  Ma, WY (Ma Wu-Ying);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Liu, MH (Liu Mo-Han);  Jiang, K (Jiang Ke)
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Total Dose Radiation  Nmosfet  Parasitic Transistor  Bandgap Voltage Reference