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Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 1-5
Authors:  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  He, CF (He, Cheng-Fa);  Jiang, K (Jiang, Ke);  Li, XL (Li, Xiao-Long);  Xun, MZ (Xun, Ming-Zhu)
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Sige Hbts  Tid  Eldrs  Annealing  
Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1-3
Authors:  Wang, X (Wang, Xin);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Guo, Q (Guo, Qi);  Wang, ZK (Wang, Zhi-Kuan);  He, CF (He, Cheng-Fa);  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Li, XL (Li, Xiao-Long);  Jia, JC (Jia, Jin-Cheng)
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偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
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锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
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电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性 期刊论文
原子能科学技术, 2015, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2087-2092
Authors:  姜柯;  陆妩;  马武英;  郭旗;  何承发;  王信;  曾俊哲;  刘默涵
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Pnp输入双极运算放大器  质子辐射  60 Coγ射线辐射  辐射效应  
电压比较器电离辐射效应及加速评估方法的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  马武英
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电离辐射  电压比较器  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 229-235
Authors:  马武英;  陆妩;  郭旗;  何承发;  吴雪;  王信;  丛忠超;  汪波;  玛丽娅
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双极电压比较器  60 Coγ辐照  剂量率效应  辐射损伤  Bipolar Voltage Comparator  60coγ Irradiation  Dose Rate Effect  Ionization Damage  
Research on dark signal degradation in Co-60 gamma-ray-irradiated CMOS active pixel sensor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 5
Authors:  Wang Bo;  Li Yu-Dong;  Guo Qi;  Liu Chang-Ju;  Wen Lin;  Ma Li-Ya;  Sun Jing;  Wang Hai-Jiao;  Cong Zhong-Chao;  Ma Wu-Ying
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Cmos Aps  Dark Signal  Co-60 Gamma-rays  Damage Mechanism  
深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269
Authors:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维;  刘默寒;  姜柯
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总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源  
60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 313-319
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  玛丽娅;  孙静;  王海娇;  丛忠超;  马武英
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Cmos有源像素传感器  暗信号  60 Co-γ射线  损伤机理  Cmos Aps  Dark Signal  60 Coγ-rays  Damage Mechanism