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一种使用变温光致发光谱测试分析太阳电池辐射效应的方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109459418A, 公开日期: 2019-03-12,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  慎小宝;  玛丽娅·黑尼;  赵晓凡;  莫敏·赛来;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
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一种低温光致发光快速高效测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109238969A, 公开日期: 2019-01-18,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  赵晓凡;  玛丽娅·黑尼;  莫敏·塞来;  慎小宝;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
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一种光致发光测试中避免激发激光谐波影响的方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109187445A, 公开日期: 2019-01-11,
Inventors:  玛丽娅·黑尼;  莫敏·塞来;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  赵晓凡;  慎小宝;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
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一种提高低温光致发光测试精度的实验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109187349A, 公开日期: 2019-01-11,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  雷琪琪;  莫敏·塞来;  马丽娅·黑尼;  赵晓凡;  慎小宝;  许焱;  李豫东;  郭旗
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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:31/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析简 期刊论文
遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124
Authors:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科;  郭旗
Adobe PDF(1430Kb)  |  Favorite  |  View/Download:63/0  |  Submit date:2019/02/21
空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素  
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
Adobe PDF(2548Kb)  |  Favorite  |  View/Download:52/1  |  Submit date:2019/07/01
探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 152, 期号: 2, 页码: 93-99
Authors:  Cai, YL (Cai, Yu-Long)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ];  Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ];  Ma, LD (Ma, Lin-Dong)[ 1,2,3 ];  Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ];  Wang, TH (Wang, Tian-Hui)[ 1,2,3 ]
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CMOS active pixel sensor (APS)  SEE  Heavy ion  
Spectral and electrical properties of 3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1-6
Authors:  Xu, Y (Xu, Yan)[ 1,2 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 2 ];  Shen, XB (Shen, Xiaobao)[ 2,3 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 2,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiaofan)[ 2 ];  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 2 ];  Tan, M (Tan, Ming)[ 5 ];  Wu, YY (Wu, Yuanyuan)[ 5 ];  Lu, SL (Lu, Shulong)[ 5 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 2 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
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