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一种使用变温光致发光谱测试分析太阳电池辐射效应的方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109459418A, 公开日期: 2019-03-12,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  慎小宝;  玛丽娅·黑尼;  赵晓凡;  莫敏·赛来;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
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一种低温光致发光快速高效测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109238969A, 公开日期: 2019-01-18,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  赵晓凡;  玛丽娅·黑尼;  莫敏·塞来;  慎小宝;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
Favorite  |  View/Download:7/0  |  Submit date:2019/08/06
一种光致发光测试中避免激发激光谐波影响的方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109187445A, 公开日期: 2019-01-11,
Inventors:  玛丽娅·黑尼;  莫敏·塞来;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  赵晓凡;  慎小宝;  许焱;  雷琪琪;  李豫东;  郭旗
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一种提高低温光致发光测试精度的实验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109187349A, 公开日期: 2019-01-11,
Inventors:  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  雷琪琪;  莫敏·塞来;  马丽娅·黑尼;  赵晓凡;  慎小宝;  许焱;  李豫东;  郭旗
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Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139 期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 172-178
Authors:  Yao, S (Yao, Shuai)[ 1,2,3 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2,4 ];  Yu, X (Yu, Xin)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang, Xin)[ 1,2 ];  Li, XL (Li, Xiaolong)[ 1,2,3 ];  Liu, MH (Liu, Mohan)[ 1,2,3 ];  Sun, J (Sun, Jing)[ 1,2 ];  Wei, XY (Wei, XinYu)[ 1,2 ];  Chang, YD (Chang, YaoDong)[ 1,2 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ];  He, CF (He, ChengFa)[ 1,2 ]
Adobe PDF(1850Kb)  |  Favorite  |  View/Download:93/0  |  Submit date:2019/02/25
Enhanced low dose rate sensitivity  single event transient  bipolar voltage comparator  synergistic effect  
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ];  Shen, MJ (Shen, Mingjie)[ 3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  He, CF (He, Chengfa)[ 1 ];  Ren, DY (Ren, Diyuan)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(1909Kb)  |  Favorite  |  View/Download:36/0  |  Submit date:2019/05/14
Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)  
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:31/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析简 期刊论文
遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124
Authors:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科;  郭旗
Adobe PDF(1430Kb)  |  Favorite  |  View/Download:63/0  |  Submit date:2019/02/21
空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:17/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离