XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 100 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  马林东
Adobe PDF(3680Kb)  |  Favorite  |  View/Download:9/0  |  Submit date:2019/07/15
CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应  
一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109456059A, 公开日期: 2019-03-12,
Inventors:  赵青;  马琦璐;  何东林;  常爱民
Favorite  |  View/Download:2/0  |  Submit date:2019/08/06
一种超疏水三维石墨烯膜的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN109455708A, 公开日期: 2019-03-12,
Inventors:  杨苏东;  王慧;  陈琳
Favorite  |  View/Download:1/0  |  Submit date:2019/08/06
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:30/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析简 期刊论文
遥感学报, 2019, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 116-124
Authors:  李豫东;  文林;  黄建余;  文延;  张科科;  郭旗
Adobe PDF(1430Kb)  |  Favorite  |  View/Download:61/0  |  Submit date:2019/02/21
空间碎片探测  电荷耦合器件  辐射效应  在轨数据分析  瞬时效应  热像素  
Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 152, 期号: 2, 页码: 93-99
Authors:  Cai, YL (Cai, Yu-Long)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ];  Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ];  Ma, LD (Ma, Lin-Dong)[ 1,2,3 ];  Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ];  Wang, TH (Wang, Tian-Hui)[ 1,2,3 ]
Adobe PDF(1340Kb)  |  Favorite  |  View/Download:91/1  |  Submit date:2019/01/03
CMOS active pixel sensor (APS)  SEE  Heavy ion  
CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
Authors:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林;  张兴尧;  周东
Adobe PDF(938Kb)  |  Favorite  |  View/Download:23/0  |  Submit date:2019/07/29
位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS  
辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN106840613B, 公开日期: 2018-10-12,
Inventors:  李豫东;  冯婕;  马林东;  文林;  周东;  郭旗
Favorite  |  View/Download:4/0  |  Submit date:2019/08/06
基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108537809A, 公开日期: 2018-09-14,
Inventors:  文林;  李豫东;  冯婕;  周东;  张兴尧;  郭旗
Favorite  |  View/Download:2/0  |  Submit date:2019/08/06