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In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 期刊论文
光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 0216002-1-0216002-8
Authors:  玛丽娅;  郭旗;  艾尔肯;  李豫东;  李占行;  文林;  周东
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辐射  损伤  光致发光谱  量子阱  
1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469
Authors:  李占行;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  方亮;  高伟;  高慧;  孟宪松;  郭旗
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辐射效应  辐照退化  晶格匹配  晶格失配  三结太阳电池  
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  艾尔肯;  王海娇;  汪波;  曾骏哲
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In0.53ga0.47as/in p  量子阱  电子束辐照  光致发光谱  
X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究 期刊论文
核技术, 2013, 卷号: 36, 期号: 6, 页码: 10-15
Authors:  吴正新;  何承发;  陆妩;  郭旗;  艾尔肯·阿不列木;  于新;  张磊;  邓伟;  郑齐文
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蒙特卡罗方法  剂量增强因子  界面  能量沉积  体元  
基于mcnp5程序研究60Coγ射线的剂量增强效应 期刊论文
新疆大学学报(自然科学版), 2013, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 427-430
Authors:  吴正新;  何承发;  陆妩;  艾尔肯·阿不列木;  艾克拜尔·吐合提;  刘南君
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蒙特卡罗方法  剂量增强因子  体元  60coγ射线  Monte-carlo Method  Dose-enhancement Factor  Voxel  60coγ-ray  
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  余学峰;  艾尔肯;  陆妩;  郭旗;  任迪远
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时间特性  总剂量辐照  辐照损伤  Cmos  
Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 328-330
Authors:  余学峰;  张国强;  艾尔肯;  郭旗;  陆妩;  任迪远
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Mos电容  氧化物电荷  界面态  能级分布  
Hot-carrier injection induced interface states in MOS structure and their annealing characteristics 期刊论文
Nuclear Techniques, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 19-21
Authors:  Yu Xuefeng;  Ai Erken;  Ren Diyuan;  Guo Qi;  Zhang Guoqiang;  Lu Wu
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MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
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热载子注入  总剂量辐照  相关性  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火