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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  席善学
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总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
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辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
Authors:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙;  恩云飞;  刘默寒
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绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声  
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
Authors:  李明;  余学峰;  薛耀国;  卢健;  崔江维;  高博
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部分耗尽绝缘层附着硅  静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流