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偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
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锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
Authors:  姜柯;  陆妩;  胡天乐;  王信;  郭旗;  何承发;  刘默涵;  李小龙
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Npn输入双极运算放大器  电子辐射  辐射效应  退火  
双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 657-663
Authors:  胡天乐;  陆妩;  何承发;  席善斌;  周东;  胥佳灵;  吴雪
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双极运算放大器  电子辐照  偏置条件  退火  
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
Authors:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  郭旗;  何承发;  吴雪;  王信
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Pnp输入双极运算放大器  电子和60coγ源  偏置条件  退火  
双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2013, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 399-404
Authors:  邓伟;  陆妩;  吴雪;  郭旗;  何承发;  王信;  张晋新;  张孝富;  吴正新;  马武英
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双极线性稳压器  60coγ辐射效应  低剂量率损伤增强效应  室温退火  
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
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铁电存储器  总剂量辐射  退火特性  
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
Authors:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰;  任迪远;  孙静
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Pmosfet  退火效应  低剂量率辐射损伤增强效应  
TDI-CCD辐射效应测试技术及总剂量效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  张乐情
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Tdi-ccd  60co-γ射线  电子辐照  辐射损伤  退火  
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
Authors:  李明;  余学峰;  许发月;  李茂顺;  高博;  崔江维;  周东;  席善斌;  王飞
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静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(296Kb)  |  Favorite  |  View/Download:189/1  |  Submit date:2013/04/09
Npn双极晶体管  辐射效应  氧化层厚度  低剂量率  退火特性