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串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
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铁电存储器  总剂量辐射  退火特性  
氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
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Npn双极晶体管  辐射效应  氧化层厚度  低剂量率  退火特性  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 会议论文
, 苏州, 2010-10-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  辐照损伤  退火特性  
NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为 会议论文
, 江西玉山, 2009-10-19
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极晶体管  辐射效应  退火特性  直流增益  损伤机理  低剂量率敏感度效应  
10位双极数模转换器的电离辐射效应 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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双极数模转换器  偏置条件  电离辐射效应  退火特性  辐照剂量  空间电荷模型  边缘电场效应  
应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 201-204
Authors:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
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金属氧化物半导体场效应功率管  辐射响应  退火特性