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InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  慎小宝
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In0.53Ga0.47As单结太阳电池  高注量电子  低能质子  位移损伤  退火效应  
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
Authors:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰;  任迪远;  孙静
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Pmosfet  退火效应  低剂量率辐射损伤增强效应  
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
Authors:  李明;  余学峰;  许发月;  李茂顺;  高博;  崔江维;  周东;  席善斌;  王飞
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静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元;  吾勤之;  刘伟鑫
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Dc-dc电源转换器  辐射损伤效应  退火效应  
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
Authors:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维;  周东;  许发月;  席善斌;  王飞
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Pdsoi  Sram  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博;  李茂顺
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商用ccd  氧化物电荷  界面态  退火效应  
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应 期刊论文
强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李豫东;  孙静;  李茂顺;  崔江维
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Sram型fpga  60coγ  总剂量辐射损伤效应  退火效应  
星载DC/DC电源转换器总剂量效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  吾勤之;  刘伟鑫;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元
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Dc/dc电源转换器  60coγ  辐射损伤效应  退火效应  
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1257-1261
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火效应  可靠性  
10位双极模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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双极模数转换器  电离辐射效应  退火效应