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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 期刊论文
物理学报, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209
Authors:  李小龙;  陆妩;  王信;  郭旗;  何承发;  孙静;  于新;  刘默寒;  贾金成;  姚帅;  魏昕宇
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双极模拟电路  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法  
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44增刊, 期号: 1, 页码: 533-537
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  低剂量率辐照损伤增强效应  
变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1493-1497
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强  变温辐照  加速评估方法  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 会议论文
, 苏州, 2010-10-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  辐照损伤  退火特性  
双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 9, 页码: 769-775
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰
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双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法  
不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究 会议论文
, 乌鲁木齐, 2008-07-15
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  郭旗;  学锋;  吕晓龙;  王义元
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电子辐照  晶体管  辐照损伤  辐射效应  损伤机制  电子通量  
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  余学峰;  艾尔肯;  陆妩;  郭旗;  任迪远
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时间特性  总剂量辐照  辐照损伤  Cmos  
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究 期刊论文
红外技术, 2006, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 98-100
Authors:  朱建妹;  靳涛;  刘普霖;  唐红兰;  陈伯良
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红外焦平面  辐照损伤  Insb  Γ射线  
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究 会议论文
, 云南西双版纳, 2005
Authors:  陈伯良;  朱建妹;  靳涛;  刘普霖;  唐红兰
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红外焦平面器件  高能辐照损伤  Insb  Γ射线  Γ辐照源