XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-4 of 4 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  赵京昊
Adobe PDF(4317Kb)  |  Favorite  |  View/Download:12/0  |  Submit date:2019/07/15
电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性  
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
Adobe PDF(2605Kb)  |  Favorite  |  View/Download:16/0  |  Submit date:2019/06/21
总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CF (He, Chengfa);  Ma, T (Ma, Teng);  Zhao, JH (Zhao, Jinghao);  Ren, DY (Ren, Diyuan);  Guo, Q (Guo, Qi);  Zheng, QW
Adobe PDF(1382Kb)  |  Favorite  |  View/Download:32/0  |  Submit date:2018/05/15
Static Noise Margin (Snm)  Static Random Access Memory (Sram)  Total Ionizing Dose (Tid)  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:30/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi