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金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2011-03-23, 授权日期: 2013-11-27
Inventors:  陈朝阳;  范艳伟;  董茂进;  丛秀云;  陶明德;  王军华
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掺杂硅热敏材料的制备及其特性研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
Authors:  董茂进
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单晶硅  深能级杂质  热敏特性  Ntc      电学特性  片式  
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  董茂进;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云;  王军华;  陶明德
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双重掺杂  深能级杂质  Au  Ni  热敏特性  
NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 52-55
Authors:  Dong, Maojin;  Chen, Zhaoyang;  Fan, Yanwei;  Wang, Junhua;  Tao, Mingde;  Cong, Xiuyun
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Deep Level Impurities  Nickel  Gold  Ntc  Electrical Properties