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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
Authors:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  姚帅;  赵京昊;  郭旗
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总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
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绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
Authors:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙;  恩云飞;  刘默寒
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绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声  
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
Authors:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远;  余学峰
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可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力