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不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  费武雄;  赵云;  王志宽;  杨永晖;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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Npn双极晶体管  低剂量率  偏置条件  电离辐照  
国产双极数模转换器不同剂量率的辐射效应 会议论文
, 乌鲁木齐, 2008-07-15
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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数模转换器  辐射效应  室温退火  辐照响应  电离辐照  电荷模型  空间电荷  辐射损伤  
不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  余学峰;  郭旗
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Mosfet  电离辐照  数字集成电路  阈电压漂移  
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 期刊论文
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 606-608
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  崔帅
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双极晶体管  偏置  剂量率  电离辐照  
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
Authors:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强;  胡浴红;  王明刚;  赵文魁
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注fcmos运算放大器  电离辐照  跨导