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总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
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绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
Authors:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙;  恩云飞;  刘默寒
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绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声  
电压比较器电离辐射效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  马武英
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电离辐射  电压比较器  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 2355-2360
Authors:  王信;  陆妩;  郭旗;  吴雪;  席善斌;  邓伟;  崔江维;  张晋新
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电离辐射  数模转换器  剂量率效应  
双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 1147-1152
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  吴雪;  席善斌;  高博;  徐发月
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电离辐射  双极电压比较器  剂量率效应  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
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电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 461-466
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  陈睿;  费武雄
Adobe PDF(1181Kb)  |  Favorite  |  View/Download:319/13  |  Submit date:2012/11/29
电离辐射  电流反馈运算放大器  偏置  低剂量率损伤增强效应  
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博;  李明;  王义元
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P型金属氧化物半导体场效应晶体管  60coγ射线  电离辐射损伤  低剂量率辐射损伤增强效应  
不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胥佳灵;  陆妩;  王义元;  吴雪;  胡天乐;  卢健;  张乐情;  于新
Adobe PDF(372Kb)  |  Favorite  |  View/Download:168/1  |  Submit date:2013/04/09
宇航电子系统  模拟数字转换器  偏置条件  电离辐射效应  
线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44增刊, 期号: 1, 页码: 550-555
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  高博;  席善斌;  许发月
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线性稳压器  电离辐射  剂量率效应  偏置