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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
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背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
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图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:558/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
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Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
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互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
Authors:  汪波;  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  王帆;  任迪远;  曾骏哲;  武大猷
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电荷耦合器件  高能粒子辐照  饱和输出电压  电离总剂量效应  
CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 346-350
Authors:  李豫东;  郭旗;  陆妩;  周东;  何承发;  余学峰
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线阵ccd  电子辐照  电离总剂量效应  时间相关效应  
CCD的总剂量效应及加固方法研究 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  李豫东;  汪朝敏;  郭旗;  刘昌举;  任迪远;  唐遵烈
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图像传感器  电离总剂量效应  60coγ射线  电子辐照  抗辐射加固