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Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 1-4
Authors:  Zhou, D (Zhou, Dong);  Wu, LC (Wu, Liangcai);  Wen, L (Wen, Lin);  Ma, LY (Ma, Liya);  Zhang, XY (Zhang, Xingyao);  Li, YD (Li, Yudong);  Guo, Q (Guo, Qi);  Song, ZT (Song, Zhitang)
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CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
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电子辐照  Cmos有源像素传感器  暗信号  
In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 期刊论文
光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 0216002-1-0216002-8
Authors:  玛丽娅;  郭旗;  艾尔肯;  李豫东;  李占行;  文林;  周东
Adobe PDF(1499Kb)  |  Favorite  |  View/Download:138/2  |  Submit date:2016/12/02
辐射  损伤  光致发光谱  量子阱  
1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469
Authors:  李占行;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  方亮;  高伟;  高慧;  孟宪松;  郭旗
Adobe PDF(2562Kb)  |  Favorite  |  View/Download:120/0  |  Submit date:2017/05/12
辐射效应  辐照退化  晶格匹配  晶格失配  三结太阳电池  
InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  玛丽娅·黑尼
Adobe PDF(3593Kb)  |  Favorite  |  View/Download:115/0  |  Submit date:2016/12/19
Ingaas量子阱  量子点  辐射效应  位移损伤  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
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电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离  
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 225-232
Authors:  曾骏哲;  何承发;  李豫东;  郭旗;  文林;  汪波;  玛丽娅;  王海娇
Adobe PDF(629Kb)  |  Favorite  |  View/Download:119/1  |  Submit date:2015/06/26
电荷耦合器件  质子辐照  位移效应  输运仿真  
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
Adobe PDF(754Kb)  |  Favorite  |  View/Download:239/0  |  Submit date:2015/06/26
互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
Adobe PDF(648Kb)  |  Favorite  |  View/Download:105/1  |  Submit date:2016/06/07
电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真