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一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN107197236B, 公开日期: 2018-08-14,
Inventors:  文林;  李豫东;  冯婕;  王田珲;  于新;  周东;  郭旗
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质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
Authors:  刘元;  文林;  李豫东;  何承发;  郭旗;  孙静;  冯婕;  曾俊哲;  马林东;  张翔;  王田珲
Adobe PDF(756Kb)  |  Favorite  |  View/Download:45/0  |  Submit date:2018/03/19
电荷耦合器件  质子辐射效应  热像素