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一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104853117B, 公开日期: 2018-03-20,
Inventors:  郭旗;  王帆;  李豫东;  汪波;  张兴尧;  何承发;  文林;  陆妩;  施炜雷;  孙静;  李小龙;  余德昭;  武大猷;  玛利亚·黑尼
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CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
Adobe PDF(2290Kb)  |  Favorite  |  View/Download:274/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  Wang, F (Wang Fan);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa)
Adobe PDF(455Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/12/13
Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor  Total Ionizing Dose Radiation Effect  Pinned Photodiode  Full Well Chargecapacity  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
Adobe PDF(590Kb)  |  Favorite  |  View/Download:157/0  |  Submit date:2016/03/01
互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:140/0  |  Submit date:2016/06/02
Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
Adobe PDF(648Kb)  |  Favorite  |  View/Download:119/1  |  Submit date:2016/06/07
电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
Authors:  汪波;  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  王帆;  任迪远;  曾骏哲;  武大猷
Adobe PDF(467Kb)  |  Favorite  |  View/Download:130/0  |  Submit date:2016/06/02
电荷耦合器件  高能粒子辐照  饱和输出电压  电离总剂量效应  
CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 期刊论文
强激光与粒子束, 2015, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 210-214
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  文林;  孙静;  王帆;  王帆;  玛丽娅
Adobe PDF(398Kb)  |  Favorite  |  View/Download:157/0  |  Submit date:2016/06/07
Cmos有源像素传感器  中子辐照  像素单元  饱和输出电压  位移效应  
Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 19
Authors:  Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Maria (Maria);  Wei, Y (Wei Yin);  Wang, HJ (Wang Hai-Jiao);  Wu, DY (Wu Da-You);  Wang, F (Wang Fan);  Zhou, H (Zhou Hang);  Wen, L
Adobe PDF(345Kb)  |  Favorite  |  View/Download:29/0  |  Submit date:2018/01/24
Charge Coupled Devices  Proton Irradiation  Neutron Irradiation  Transport Simulation