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Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 1
Authors:  Wu, Xue;  Lu, Wu;  Wang, Yiyuan;  Xu, Jialing;  Zhang, Leqing;  Lu, Jian;  Yu, Xin;  Zhang, Xingyao;  Hu, Tianle;  Lu, W
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PNP输入双极运算放大器的辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 229-233
Authors:  许发月;  陆妩;  王义元;  席善斌;  李明;  王飞;  周东
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Pnp输入双极运算放大器  低剂量率  偏置  60coγ辐照  
双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 1147-1152
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  吴雪;  席善斌;  高博;  徐发月
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电离辐射  双极电压比较器  剂量率效应  
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 42-47
Authors:  Gao, Bo;  Yu, Xuefeng;  Ren, Diyuan;  Li, Yudong;  Sun, Jing;  Cui, Jiangwei;  Wang, Yiyuan;  Li, Ming
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典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
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电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强  
PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的60Co γ辐照高温退火评估方法 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 810-814
Authors:  许发月;  陆妩;  王义元;  席善斌;  李明;  王飞;  周东
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双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 461-466
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  陈睿;  费武雄
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电离辐射  电流反馈运算放大器  偏置  低剂量率损伤增强效应  
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 205-208
Authors:  席善斌;  王志宽;  陆妩;  王义元;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60co-γ辐照  基区掺杂浓度  辐照偏置