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多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 40911
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  高嵩;  刘刚;  戴康
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多结太阳电池  镓铟磷/砷化镓/锗  电子辐照  电致发光  损伤机理  
SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 317-319,355
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘月;  高嵩
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Sige异质结双极晶体管  电离辐射  损伤机理  
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 期刊论文
核技术, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩;  肖志斌
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多结太阳电池  Gainp/gaas/ge  电子辐照  辐照效应  光谱响应  
不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性 期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334
Authors:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
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Powermosfet  阈值电压  总剂量辐射  击穿电压  
新型空间太阳电池电子辐照损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2006
Authors:  牛振红
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Si 太阳电池  多结太阳电池  Gainp/gaas/ge  电子辐照  退火  电致发光  辐射损伤  
SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1608-1611
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩
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Sige异质结双极晶体管  电离辐射  退火  后损伤效应  
双极运算放大器辐射损伤的时间相关性 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1280-1284
Authors:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚
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双极运算放大器  辐射损伤  时间相关性  低剂量率  加速评估  
JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 627-630
Authors:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚
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运算放大器  结型场效应管  辐射损伤  低剂量率  加速评估  
应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 201-204
Authors:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
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金属氧化物半导体场效应功率管  辐射响应  退火特性  
CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 470-473,495
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  牛振红
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Cmos  预辐照  筛选  退火