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补偿硅材料深能级(Au、Cu、Mn、Ni、Pt)掺杂制备及热敏特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  范艳伟
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单晶硅  深能级杂质  掺杂  热敏特性  
Fe、Cu掺杂及多重掺杂单晶硅材料制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周步康
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单晶硅  深能级杂质  单掺杂  多重掺杂  电学特性  热敏特性  
铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2013, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 10-13
Authors:  周步康;  范艳伟;  陈朝阳
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P型硅  N型硅  深能级杂质  Fe  电阻率  补偿度  
金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究 期刊论文
电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 29-32
Authors:  张希涛;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云
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Ntc热敏电阻  单晶硅      深能级杂质  
掺杂硅热敏材料的制备及其特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
Authors:  董茂进
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单晶硅  深能级杂质  热敏特性  Ntc      电学特性  片式  
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  董茂进;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云;  王军华;  陶明德
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双重掺杂  深能级杂质  Au  Ni  热敏特性  
Zn掺杂n型硅材料的补偿研究 期刊论文
电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 24-26
Authors:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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电子技术  深能级杂质  反型  固溶度  亨利定律  电离  
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143
Authors:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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深能级杂质  费米能级  多数载流子  补偿度