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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
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总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
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深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
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深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  吴雪
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深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353
Authors:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
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深亚微米  总剂量辐射  热载流子效应  
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文
, 济南, 2012-10-01
Authors:  郑齐文;  余学峰;  崔江维
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Soi  超深亚微米  寄生双极效应  背栅晶体管  沟道长度  热载流子效应  
深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究 会议论文
, 三亚, 2011
Authors:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
Adobe PDF(165Kb)  |  Favorite  |  View/Download:153/1  |  Submit date:2013/04/09
金属氧化物半导体场效应管  深亚微米  负偏压温度不稳定性效应  阈值电压  参数优化