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氧化物半导体热敏电阻及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 1999-10-27, 授权日期: 2013-11-27
Inventors:  杨文,康健,张昭,王大为
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氧化物半导体热敏电阻器的制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 1999-10-27, 授权日期: 2013-11-27
Inventors:  杨文,康健,张昭,王大为
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