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静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
Authors:  李明;  余学峰;  许发月;  李茂顺;  高博;  崔江维;  周东;  席善斌;  王飞
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静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 360-364
Authors:  赵云;  何承发;  刘艳;  杨进军;  卫平强;  兰博;  崔江维;  费武雄;  李茂顺;  王飞
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聚合物凝胶剂量计  Pagat  磁共振成像  放射治疗  剂量验证  
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 217-222
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  偏置  低剂量率辐照损伤增强  
10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应 期刊论文
核电子学与探测技术, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 204-208
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博
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模数转换器  辐射效应  室温退火  
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
Authors:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东;  高博;  崔江维;  兰博;  费武雄;  陈睿;  赵云
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静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件  
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元;  吾勤之;  刘伟鑫
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Dc-dc电源转换器  辐射损伤效应  退火效应  
静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 442-447
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维;  李茂顺;  李明;  王义元
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60coγ  总剂量辐射损伤效应  Sram型fpga  Cmos单元  
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  李茂顺
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Sram  总剂量辐射效应  敏感参数  偏置条件  剂量率  
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博;  李茂顺
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商用ccd  氧化物电荷  界面态  退火效应  
不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 7, 页码: 543-546
Authors:  兰博;  郭旗;  孙静;  崔江维;  李茂顺;  费武雄;  陈睿;  赵云
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Pmosfets  偏置  剂量率  时间相关效应  低剂量率损伤增强效应