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8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
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探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 313-319
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  玛丽娅;  孙静;  王海娇;  丛忠超;  马武英
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Cmos有源像素传感器  暗信号  60 Co-γ射线  损伤机理  Cmos Aps  Dark Signal  60 Coγ-rays  Damage Mechanism  
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  席善斌
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低剂量率辐射损伤增强效应  栅控晶体管  电荷分离  损伤机理  竞争模型  
典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  吾勤之;  许导进;  刘伟鑫;  于跃;  郭旗;  孙静
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总剂量效应  光电器件  氧化物陷阱电荷  界面态陷阱电荷  红外发光二极管  损伤机理  
NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为 会议论文
, 江西玉山, 2009-10-19
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极晶体管  辐射效应  退火特性  直流增益  损伤机理  低剂量率敏感度效应  
多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 40911
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  高嵩;  刘刚;  戴康
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多结太阳电池  镓铟磷/砷化镓/锗  电子辐照  电致发光  损伤机理  
SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 317-319,355
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘月;  高嵩
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Sige异质结双极晶体管  电离辐射  损伤机理