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极端辐射环境下双晶体管的剂量率效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  刘默寒
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双极晶体管  低剂量率辐射损伤增强效应  变温辐照加速评估方法  极高总剂量  氢化氧空位  界面陷阱电荷  氧化物陷阱电荷  
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  赵京昊
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电离总剂量辐射  热载流子效应  栅氧经时击穿  负偏置温度不稳定性  
变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126
Authors:  姚帅;  陆妩;  于新;  李小龙;  王信;  刘默寒;  孙静;  常耀东;  席善学;  何承发;  郭旗
Adobe PDF(459Kb)  |  Favorite  |  View/Download:16/0  |  Submit date:2019/06/21
变温辐照方法  双极电压比较器  电离总剂量  单粒子瞬态  偏置状态  协同效应  
国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 期刊论文
半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374
Authors:  魏昕宇;  陆妩;  李小龙;  王信;  孙静;  于新;  姚帅;  刘默寒;  郭旗
Adobe PDF(2030Kb)  |  Favorite  |  View/Download:185/0  |  Submit date:2018/06/13
国产pnp型双极晶体管  宽总剂量范围  低剂量率损伤增强效应(Eldrs)  辐射损伤  剂量率  
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
Adobe PDF(520Kb)  |  Favorite  |  View/Download:113/0  |  Submit date:2016/06/02
总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:191/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
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电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离  
γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究 会议论文
, 中国甘肃兰州, 2014-08-13
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  任迪远;  文林;  玛丽娅;  曾骏哲;  王海娇
Adobe PDF(927Kb)  |  Favorite  |  View/Download:42/0  |  Submit date:2018/06/04
Cmos Aps  暗信号  像素单元结构  电离总剂量  Locos隔离  
SbTe基相变存储材料的辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周东
Adobe PDF(6995Kb)  |  Favorite  |  View/Download:270/1  |  Submit date:2013/06/05
相变材料  总剂量辐射效应  位移效应  电子束诱导相变  激光诱导相变  
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download:238/0  |  Submit date:2013/11/06
铁电存储器  总剂量辐射  退火特性