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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 期刊论文
半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374
Authors:  魏昕宇;  陆妩;  李小龙;  王信;  孙静;  于新;  姚帅;  刘默寒;  郭旗
Adobe PDF(2030Kb)  |  Favorite  |  View/Download:152/0  |  Submit date:2018/06/13
国产pnp型双极晶体管  宽总剂量范围  低剂量率损伤增强效应(Eldrs)  辐射损伤  剂量率  
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
Adobe PDF(520Kb)  |  Favorite  |  View/Download:106/0  |  Submit date:2016/06/02
总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
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大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
Adobe PDF(1121Kb)  |  Favorite  |  View/Download:138/0  |  Submit date:2015/03/25
电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离  
γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究 会议论文
, 中国甘肃兰州, 2014-08-13
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  任迪远;  文林;  玛丽娅;  曾骏哲;  王海娇
Adobe PDF(927Kb)  |  Favorite  |  View/Download:30/0  |  Submit date:2018/06/04
Cmos Aps  暗信号  像素单元结构  电离总剂量  Locos隔离  
SbTe基相变存储材料的辐射效应及损伤机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周东
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相变材料  总剂量辐射效应  位移效应  电子束诱导相变  激光诱导相变  
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download:226/0  |  Submit date:2013/11/06
铁电存储器  总剂量辐射  退火特性  
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  卢健
Adobe PDF(867Kb)  |  Favorite  |  View/Download:82/0  |  Submit date:2016/05/10
Sram  大规模集成电路  不同偏置  总剂量辐射效应  辐射损伤  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
Adobe PDF(1798Kb)  |  Favorite  |  View/Download:105/0  |  Submit date:2016/05/10
超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计 期刊论文
半导体技术, 2012, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 562-566
Authors:  张乐情;  郭旗;  李豫东;  卢健;  张兴尧;  胥佳灵;  于新
Adobe PDF(734Kb)  |  Favorite  |  View/Download:233/14  |  Submit date:2012/11/29
电荷耦合器件  辐射效应  现场可编程门阵列  通用测试电路  电离总剂量