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不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
Authors:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东;  高博;  崔江维;  兰博;  费武雄;  陈睿;  赵云
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静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件  
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  周东;  郭旗;  宋志棠;  吴良才;  李豫东;  席善斌
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航天器  相变存储器  总剂量辐照  抗辐照能力  
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1257-1261
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火效应  可靠性  
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线  
国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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60coγ射线  总剂量辐照  退火效应  界面态陷阱电荷亚阈曲线  
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  余学峰;  艾尔肯;  陆妩;  郭旗;  任迪远
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时间特性  总剂量辐照  辐照损伤  Cmos  
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  刘刚
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互补型金属-氧化物-半导体(Cmos)器件  总剂量辐照  阈电压  统计  
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
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热载子注入  总剂量辐照  相关性