XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 30 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:12/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:16/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:37/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:46/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:561/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
Adobe PDF(2290Kb)  |  Favorite  |  View/Download:253/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
Adobe PDF(590Kb)  |  Favorite  |  View/Download:151/0  |  Submit date:2016/03/01
互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:230/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
Adobe PDF(1646Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:122/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应