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MOSFET's damage induced by hot carrier injection and its annealing 期刊论文
Research & Progress of Solid State Electronics, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 560-563
Authors:  Yu Xuefeng;  Erken;  Ren Diyuan;  Zhang Guoqiang;  Lu Wu;  Guo Qi
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Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 328-330
Authors:  余学峰;  张国强;  艾尔肯;  郭旗;  陆妩;  任迪远
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Mos电容  氧化物电荷  界面态  能级分布  
Hot-carrier injection induced interface states in MOS structure and their annealing characteristics 期刊论文
Nuclear Techniques, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 19-21
Authors:  Yu Xuefeng;  Ai Erken;  Ren Diyuan;  Guo Qi;  Zhang Guoqiang;  Lu Wu
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MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
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热载子注入  总剂量辐照  相关性  
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
Authors:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强;  胡浴红;  王明刚;  赵文魁
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注fcmos运算放大器  电离辐照  跨导  
抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究 成果
新疆维吾尔自治区科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  张国强;  王国彬;  严荣良;  任迪远;  余学峰;  高剑侠;  罗来会;  陆妩;  范隆;  高文钰;  郭旗;  魏锡智
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星用抗高电离总剂量器件和电路系统辐射损伤机理研究 成果
中国科学院科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  严荣良;  任迪远;  张国强;  陆妩;  高剑侠;  郭旗;  余学峰;  范隆;  赵元富;  胡浴红;  高文钰
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PMOS剂量计的研究与空间应用 成果
新疆维吾尔自治区科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  范隆;  任迪远;  郭旗;  严荣良;  陆妩;  余学峰;  张国强;  靳涛
Favorite  |  View/Download:104/0  |  Submit date:2013/11/20