XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-6 of 6 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
双极晶体管不同温度的退火效应与机理 期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 150-153
Authors:  汪东;  陆妩;  任迪远;  李爱武;  匡治兵;  张华林
Adobe PDF(240Kb)  |  Favorite  |  View/Download:172/15  |  Submit date:2012/11/29
双极晶体管  退火效应  界面态  
不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(241Kb)  |  Favorite  |  View/Download:148/1  |  Submit date:2013/04/09
Mosfet  电离辐照  数字集成电路  阈电压漂移  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
Adobe PDF(154Kb)  |  Favorite  |  View/Download:230/17  |  Submit date:2012/11/29
预先老化  辐照  注f  可靠性  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
Adobe PDF(154Kb)  |  Favorite  |  View/Download:156/11  |  Submit date:2012/11/29
预先老化  辐照  注f  可靠性  
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 期刊论文
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 606-608
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  崔帅
Adobe PDF(134Kb)  |  Favorite  |  View/Download:175/6  |  Submit date:2012/11/29
双极晶体管  偏置  剂量率  电离辐照  
双极晶体管的低剂量率电离辐射效应 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1675-1679
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  何承发;  艾尔肯;  崔帅
Adobe PDF(170Kb)  |  Favorite  |  View/Download:205/8  |  Submit date:2012/11/29
低剂量率  电离辐射  双极晶体管  空间电荷