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不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 67-70
Authors:  李豫东;  文林;  郭旗;  何承发;  周东;  冯婕;  张兴尧;  于新
Adobe PDF(727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:36/0  |  Submit date:2018/07/24
质子  电荷耦合器件  辐射效应  注量率  缺陷  
Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 1-4
Authors:  Zhou, D (Zhou, Dong);  Wu, LC (Wu, Liangcai);  Wen, L (Wen, Lin);  Ma, LY (Ma, Liya);  Zhang, XY (Zhang, Xingyao);  Li, YD (Li, Yudong);  Guo, Q (Guo, Qi);  Song, ZT (Song, Zhitang)
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Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
Authors:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ];  Li, BH (Li, Binhong)[ 1,2 ];  Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 4 ];  Zhu, HP (Zhu, Huiping)[ 1,2 ];  Yin, HX (Yin, Huaxiang)[ 1,3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 4 ];  Luo, JJ (Luo, Jiajun)[ 1,2 ];  Han, ZS (Han, Zhengsheng)[ 1,2 ]
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Anneal  Finfet  On-state Bias  Total Ionizing Dose (Tid)  
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 828-834
Authors:  荀明珠;  李豫东;  郭旗;  何承发;  于新;  于钢;  文林;  张兴尧
Adobe PDF(1843Kb)  |  Favorite  |  View/Download:95/0  |  Submit date:2017/08/01
抗辐射加固  试验装置  晶圆级器件  X射线辐照  辐射效应  参数提取  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
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互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
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Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
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新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 331-336
Authors:  张孝富;  李豫东;  郭旗;  罗木昌;  何承发;  于新;  申志辉;  张兴尧;  邓伟;  吴正新
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高铝组分alxga1-xn  Γ射线辐射效应  理想因子  欧姆接触  
Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 1
Authors:  Wu, Xue;  Lu, Wu;  Wang, Yiyuan;  Xu, Jialing;  Zhang, Leqing;  Lu, Jian;  Yu, Xin;  Zhang, Xingyao;  Hu, Tianle;  Lu, W
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串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
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铁电存储器  总剂量辐射  退火特性