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Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 1
Authors:  Wu, Xue;  Lu, Wu;  Wang, Yiyuan;  Xu, Jialing;  Zhang, Leqing;  Lu, Jian;  Yu, Xin;  Zhang, Xingyao;  Hu, Tianle;  Lu, W
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TDI-CCD辐射效应测试技术及总剂量效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  张乐情
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Tdi-ccd  60co-γ射线  电子辐照  辐射损伤  退火  
半导体材料电子非电离能损的分析法计算 期刊论文
核电子学与探测技术, 2012, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 820-825
Authors:  于新;  何承发;  郭旗;  张兴尧;  吴雪;  张乐情;  卢建;  胥佳灵;  胡天乐
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非电离能损  Mott散射截面  林哈德因子  分子动力学模型  
应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计 期刊论文
半导体技术, 2012, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 562-566
Authors:  张乐情;  郭旗;  李豫东;  卢健;  张兴尧;  胥佳灵;  于新
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电荷耦合器件  辐射效应  现场可编程门阵列  通用测试电路  电离总剂量  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
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静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象  
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
Authors:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情;  卢健;  于新;  胡天乐
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Bicmos  模数转换器  剂量率  60coγ辐照  
不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胥佳灵;  陆妩;  王义元;  吴雪;  胡天乐;  卢健;  张乐情;  于新
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宇航电子系统  模拟数字转换器  偏置条件  电离辐射效应  
不同电子能量辐照下偏置对运算放大器辐射效应的影响 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  胥佳灵;  吴雪;  张乐情;  卢健;  于新
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运算放大器  辐射效应  电子能量  偏置条件