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一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200410092027.4, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  蔡志军;  崔志明
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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究 期刊论文
电子元件与材料, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 53-55
Authors:  崔志明;  陈朝阳;  巴维真;  蔡志军;  丛秀云
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电子技术  高补偿硅  化学沉积法  硅镍化合物  
Zn掺杂n型硅材料的补偿研究 期刊论文
电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 24-26
Authors:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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电子技术  深能级杂质  反型  固溶度  亨利定律  电离  
p型单晶硅涂源掺锰新方法 期刊论文
电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 21-23
Authors:  崔志明;  巴维真;  陈朝阳;  蔡志军;  丛秀云
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电子技术  扩散源  补偿度  固相反应  锰硅化物  
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143
Authors:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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深能级杂质  费米能级  多数载流子  补偿度  
掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 23-24
Authors:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  蔡志军;  丛秀云;  陶明德;  吐尔迪·吾买尔
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掺锰  热敏特性  正温度系数  负温度系数