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双极运算放大器ELDRS效应的变剂量率加速模拟方法初探(英文) 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1286-1291
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  郭旗;  余学峰
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双极运算放大器  60coγ辐照  变剂量率  加速评估  
SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1608-1611
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩
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Sige异质结双极晶体管  电离辐射  退火  后损伤效应  
掺锰硅材料的电流振荡特性 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1582-1585
Authors:  陈朝阳;  巴维真;  张建;  丛秀云;  Bakhadyrkhanov M K;  Zikrillaev N F
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  掺杂  补偿  电流振荡  
双极运算放大器辐射损伤的时间相关性 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1280-1284
Authors:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚
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双极运算放大器  辐射损伤  时间相关性  低剂量率  加速评估  
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
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热载子注入  总剂量辐照  相关性  
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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运算放大器  60coγ辐照  退火  剂量率效应  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
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预先老化  辐照  注f  可靠性  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
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预先老化  辐照  注f  可靠性  
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143
Authors:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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深能级杂质  费米能级  多数载流子  补偿度  
CMOS运算放大器的辐照和退火行为 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 731-734
Authors:  任迪远;  陆妩;  郭旗;  余学锋;  王明刚;  胡浴红;  赵文魁
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Cmos运算放大器  电离辐射  退火