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双极晶体管不同温度的退火效应与机理 期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 150-153
Authors:  汪东;  陆妩;  任迪远;  李爱武;  匡治兵;  张华林
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双极晶体管  退火效应  界面态  
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  刘刚
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互补型金属-氧化物-半导体(Cmos)器件  总剂量辐照  阈电压  统计  
CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究 期刊论文
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 470-473,495
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  牛振红
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Cmos  预辐照  筛选  退火  
80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
Authors:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东
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单片机  60coγ辐照  辐射损伤  退火  
大规模存储器电离辐射试验方法 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 489-492
Authors:  匡治兵;  郭旗;  吾勤之;  任迪远;  陆妩
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测试方法  电离辐射  总剂量效应  存储器