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8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
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探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
维吾尔药哈排斯的质量标准研究 期刊论文
中药材, 2016, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 1014-1018
Authors:  希尔艾力·吐尔逊;  库尔班尼沙;  祖里皮亚;  刘伟新;  敏德;  阿吉艾克拜尔·艾萨
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维吾尔药材  哈排斯  基原  质量标准  
维吾尔药哈排斯的质量标准研究 期刊论文
中药材, 2016, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 1014-1018
Authors:  希尔艾力·吐尔逊;  库尔班尼沙;  祖里皮亚;  刘伟新;  敏德;  阿吉艾克拜尔·艾萨
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维吾尔药材  哈排斯  基原  质量标准  
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元;  吾勤之;  刘伟鑫
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Dc-dc电源转换器  辐射损伤效应  退火效应  
星载DC/DC电源转换器总剂量效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  吾勤之;  刘伟鑫;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元
Adobe PDF(1875Kb)  |  Favorite  |  View/Download:232/2  |  Submit date:2013/04/09
Dc/dc电源转换器  60coγ  辐射损伤效应  退火效应  
典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  吾勤之;  许导进;  刘伟鑫;  于跃;  郭旗;  孙静
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总剂量效应  光电器件  氧化物陷阱电荷  界面态陷阱电荷  红外发光二极管  损伤机理