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偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
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锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  吴雪
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深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法  
双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 657-663
Authors:  胡天乐;  陆妩;  何承发;  席善斌;  周东;  胥佳灵;  吴雪
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双极运算放大器  电子辐照  偏置条件  退火  
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
Authors:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  郭旗;  何承发;  吴雪;  王信
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Pnp输入双极运算放大器  电子和60coγ源  偏置条件  退火  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
Adobe PDF(692Kb)  |  Favorite  |  View/Download:170/14  |  Submit date:2012/11/29
静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
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电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
Authors:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东;  高博;  崔江维;  兰博;  费武雄;  陈睿;  赵云
Adobe PDF(389Kb)  |  Favorite  |  View/Download:227/15  |  Submit date:2012/11/29
静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件  
不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胥佳灵;  陆妩;  王义元;  吴雪;  胡天乐;  卢健;  张乐情;  于新
Adobe PDF(372Kb)  |  Favorite  |  View/Download:163/1  |  Submit date:2013/04/09
宇航电子系统  模拟数字转换器  偏置条件  电离辐射效应  
不同电子能量辐照下偏置对运算放大器辐射效应的影响 会议论文
, 苏州, 2011-11-01
Authors:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  胥佳灵;  吴雪;  张乐情;  卢健;  于新
Adobe PDF(345Kb)  |  Favorite  |  View/Download:154/1  |  Submit date:2013/04/09
运算放大器  辐射效应  电子能量  偏置条件  
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  李茂顺
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Sram  总剂量辐射效应  敏感参数  偏置条件  剂量率