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极端辐射环境下双晶体管的剂量率效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2019
Authors:  刘默寒
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双极晶体管  低剂量率辐射损伤增强效应  变温辐照加速评估方法  极高总剂量  氢化氧空位  界面陷阱电荷  氧化物陷阱电荷  
电压比较器电离辐射效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  马武英
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电离辐射  电压比较器  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  席善斌
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低剂量率辐射损伤增强效应  栅控晶体管  电荷分离  损伤机理  竞争模型  
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
Authors:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰;  任迪远;  孙静
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Pmosfet  退火效应  低剂量率辐射损伤增强效应  
双极运算放大器ELDRS效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  许发月
Adobe PDF(2275Kb)  |  Favorite  |  View/Download:82/0  |  Submit date:2016/05/24
双极运算放大器  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  60coγ辐照  
PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的60Co γ辐照高温退火评估方法 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 810-814
Authors:  许发月;  陆妩;  王义元;  席善斌;  李明;  王飞;  周东
Adobe PDF(1506Kb)  |  Favorite  |  View/Download:170/10  |  Submit date:2012/11/29
双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博;  李明;  王义元
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P型金属氧化物半导体场效应晶体管  60coγ射线  电离辐射损伤  低剂量率辐射损伤增强效应  
10位双极数模转换器的电离辐射效应 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2009, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 551-555
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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双极数模转换器  60co辐照  低剂量率辐射损伤增强效应  偏置条件  
双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 493-496,500
Authors:  汪东;  陆妩;  任迪远;  郭旗;  何承发
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双极晶体管  高温辐照  剂量率效应  低剂量率辐射损伤增强效应