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CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
Authors:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林;  张兴尧;  周东
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位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS  
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  李占行
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晶格失配  位移损伤效应  位移损伤剂量  非电离能损  辐照退化  
行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
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电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
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Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
低能电子束非电离能损(NIEL)的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  于新
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Niel  位移损伤效应  林哈德因子  P-i-n光电二极管  Led